fa شبیه‌سازی آشکارساز فرابنفش MSM پلاسمونی مبتنی بر GaN تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در عصر حاضر به علت پیچیده بودن مسائل و هندسه&rlm;ها استفاده از روش&rlm;های عددی برای حل مسائل بسیار گسترش یافته است. محاسبات عددی ابزار کارآمدی برای مهندسی افزاره&shy;های نیمرسانا می&rlm;باشد. در این تحقیق از روش المان محدود (</span></span></strong><strong><span dir="LTR">FEM</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> برای شبیه&rlm;سازی آشکارساز </span></span></strong><strong><span dir="LTR">MSM</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> پلاسمونی استفاده شده است. </span></span></strong>&nbsp;<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">از</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">معادلات</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">پایه</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">نیمرسانا</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">و</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">الکترومغناطیس،</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">برای</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">محاسبه</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">عملکرد</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">این</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">افزاره</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">الکترونیکی</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">استفاده شده است</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-family:b nazanin+fpef;"><span style="font-size:12.0pt;">.</span></span></span> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در ولتاژ بایاس </span></span></strong><strong><span dir="LTR">V</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 10&nbsp; چگالی جریان تاریک بدست آمده از ساختار شبیه&rlm;سازی شده ²</span></span></strong><strong><span dir="LTR">A/cm</span></strong> <strong>^{<span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">12-</span></span>}</strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10</span></span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">5 و جریان نوری آن ²</span></span></strong><strong><span dir="LTR">A/cm</span></strong> <strong>^{<span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">5-</span></span>}</strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10</span></span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">8 </span></span></strong>&nbsp;<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">می&shy;باشد. </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">با استفاده از یک شبکه پلاسمونی بر روی سطح آشکارساز جریان نوری آشکارساز با افزایش قابل ملاحظه&shy;ای در ولتاژ بایاس </span></span></strong><strong><span dir="LTR">V</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 10 به مقدار ²</span></span></strong><strong><span dir="LTR">A/cm</span></strong> <strong>^{<span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">4-</span></span>}</strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">10</span></span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">5/1&nbsp; رسید ولی تغییر در جریان تاریک قابل اغماض است.</span></span></strong><span dir="LTR"></span> Nowadays, numerical methods are widely used for the solution of problems due to the complexity of systems and geometries. Numerical computation is an effective tool for engineering semiconductor devices. In this research finite element method (FEM) has been used for simulation of a plasmonic MSM ultraviolet photodetector. For simulating the operation of this electronic device basic electromagnetic and semiconductor equations have been used. The results show that at a bias voltage of 10 V the dark current of the device is 5&times;10^-12 A/cm² and the photocurrent is 1.5&times;10^-4 A/cm². By using a plasmonic grid on the surface of the photodetector the photocurrent increased considerably, with a value of 1.5&times;10^-4 A/cm² at a bias voltage of 10 V while the variation on the dark current is negligible. آشکارساز MSM پلاسمونی, نیمرسانای GaN, روش المان محدود Plasmonic MSM photodetector, GaN semiconductor, Finite element method 105 108 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1762&slc_lang=fa&sid=1 Mohammad Mohammadrezaei محمد محمدرضایی 10031947532846007588 10031947532846007588 Yes Department of Physics, Faculty of Basic Sciences, University of Sistan and Baluchestan دانشگاه سیستان و بلوچستان Naser Hatefi kargan ناصر هاتفی کرگان 10031947532846007589 10031947532846007589 No Department of Physics, Faculty of Basic Sciences, University of Sistan and Baluchestan دانشگاه سیستان و بلوچستان