fa بررسی و محاسبه اثر نقص جابجایی اتم های سیلیکونی ناشی از تابش بر روی قطعات فوتودیودی با استفاده از تغییرات طول عمر حامل‌ها تخصصی Special پژوهشي Research <span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">فوتودیودها بعنوان ساختار پایه بسیاری از قطعات مورد استفاده در ارتباطات نوری ممکن است تحت تابش یونیزان قرار گیرند. در این کار تاثیر </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">PKA</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">هایی با انرژی&shy;های مختلف( </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">eV</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> 50، </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">eV</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> 100 و </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">eV</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> 200، </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">eV</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> 500 و </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">eV</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> 1000 ) بر ساختار سیلیکونی یک فوتودیود بررسی شده است. تاثیرات میکروسکوپی </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">PKA</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> ها بر ساختار سیلیکونی که با عث ایجاد نقص های فرنکل و ایجاد سطوح جدید انرژی در باند ممنوعه این نیمه&shy;هادی می شود، توسط نرم افزار دینامیک مولکولی </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">LAMMPS</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> بررسی شده است. تغییرات ماکروسکوپی این قطعه که ناشی از گیراندازی حامل&shy;های بار در تله&shy;های بوجود آمده می باشد، منجر به کاهش جریان کاتد و به دنبال آن بهره کوانتومی فوتودیود می شود که توسط نرم افزار </span></span></span><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">SILVACO</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> شبیه سازی و محاسبه شده است. بنابراین با توجه به تاثیرگذاری بر ضریب اطمینان داده&shy;های حاصل شده از این قطعات، می بایستی این افت ناشی از تابش در هنگام طراحی مدارات و همچنین تحلیل نتایج در نظر گرفته شود</span></span></span> Photodiodes as the base structure of many optical components may be exposed to ionizing radiation. In this paper, the effect of PKAs with different energies ( 50 eV, 100 eV and 200 eV, 500 eV and 1000 eV) have been investigated on a silicon photodiode. PKAs microscopic effects on the silicon structure, which cause&nbsp; Frenkel defects formation and the creation of new energy levels in the semiconductor band gap,&nbsp; The device&rsquo;s macroscopic changes due to the trapping of charge carriers in the created traps, lead to the reduction of the photodiode cathode current and, consequently, the quantum efficiency, which is simulated and calculated by SILVACO. This affects the reliability of the data obtained from these components, which should be considered when designing the circuits and analyzing the results. تابش یونیزان , فوتودیود سیلیکونی, نقص جابجایی, PKA Displacement defect, Silicon Photodiode, PKA, Ionizing radiation 173 176 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1761&slc_lang=fa&sid=1 Sara Shoorian سارا شوریان 10031947532846007585 10031947532846007585 Yes Radiation Application Department, Shahid Beheshti University, Tehran, IRAN دانشگاه شهید بهشتی Hamid Jafari حمید جعفری 10031947532846007586 10031947532846007586 No Radiation Application Department, Shahid Beheshti University, Tehran, IRAN دانشگاه شهید بهشتی Seyed amirhossein Feghhi سید امیرحسین فقهی 10031947532846007587 10031947532846007587 No Radiation Application Department, Shahid Beheshti University, Tehran, IRAN دانشگاه شهید بهشتی