fa طراحی و شبیه سازی آنتن نوررسانا تراهرتز خودبایاس بر اساس GaN، با استفاده از سد شاتکی نامتقارن تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-family: times new roman;"><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">در این منبع تراهرتز &nbsp;با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی</span></span></strong></span> <strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">&nbsp;لایه ای از جنس بلور </span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size: 9pt;">GaN</span></span><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم.</span></span></strong> <strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف می&shy;گردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی باریک با طول موج </span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size: 9pt;">nm</span></span> <strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">350</span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">&nbsp; بر روی نیمه هادی باعث تولید حامل&shy;ها درون منطقه فعال می&shy;شویم. </span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">تغییرات زمانی سریع پالس ورودی </span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">عامل تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی می&shy;باشد. این جریان متغیر با زمان باعث تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره می&shy;گردد. در این مقاله، شبیه سازی‌ها دو بعدی </span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">و </span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">به روش عنصر متناهی انجام می‌شود</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: times new roman;">.</span></span></span><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family:b nazanin;"></span></span><br> &nbsp; in this paper we introduce a photoconductive terahertz antenna. This emitter consists of asymmetric Schottky contacts on GaN layer, inducing an internal electric field. By radiating a short pulse with the wavelength of 350 nm, carriers are generated in the photoconductive active region. Rapid transition in the incident laser pulse, results in generation of high frequency components in the generated electric current. The resulted time varying current generates the THz radiation toward the bottom of the device.<br> &nbsp; کلید واژه- تراهرتز, نوررسانا, GaN, خودبایاس GaN- photoconductive- self-bias- antenna- terahertz. 145 148 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1606&slc_lang=fa&sid=1 Pouya Torkaman پویا ترکمان 10031947532846007083 10031947532846007083 Yes Tarbiat modares university,Tehran دانشگاه تربیت مدرس Sara Darbari سارا درباری کوزه کنان 10031947532846007084 10031947532846007084 No Tarbiat modares university,Tehran دانشگاه تربیت مدرس Mohammad Javad Mohammad Zamani محمد جواد محمد زمانی 10031947532846007085 10031947532846007085 No Tarbiat modares university,Tehran دانشگاه تربیت مدرس