fa تاثیر چگالی آلایش بر توان نور خروجی از دیود نورگسیل تک چاه کوانتومی بر پایه InGaN/GaN تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-size: small;"><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: times new roman;">&nbsp;</span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">مهمترین مزیت استفاده از ساختار چاه های کوانتومی در دیود های نورگسیل، افزایش باز ترکیب سطحی حاملهای بار الکتریکی و به دنبال آن ارتقاء توان نور خروجی می باشد. </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">یکی از عوامل موثر در میزان </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">توان نور خروجی </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">این دیودهای نورگسیل</span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;"> چگالی آلایش است. در این مطالعه، یک </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">دیود نورگسیل</span></span></span></strong> <strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">تک چاه کوانتومی بر پایه </span></span></span></strong><em><span style="font-family: times new roman;"><span dir="LTR"><span style="font-size: 10pt;">InGaN/GaN</span></span></span></em> &nbsp;<strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">با استفاده از نرم افزار سیلواکو (اتلس) </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">شبیه سازی و تاثیر چگالی آلایش به ازای ولتاژ ثابت آند بر روی عملکرد آن بررسی شده است. به ازای مقادیر مختلف چگالی آلایش، مشخصه های </span></span></span></strong><span dir="LTR"><em><span style="font-family: times new roman;">LED</span></em></span><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">‌ بدست آمده است. با افزایش چگالی آلایش، مقدار توان نور خروجی شروع به افزایش کرده و به حالت بهینه می رسد. </span></span></span></strong><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size:10pt;"></span></span></strong></span><br> &nbsp; <span dir="LTR">The main advantage of using of quantum-wells structure in light-emitting diodes (LEDs) is that these structures boost the surface recombination of electrical charge carriers and then, increases their output optical power. Doping concentration is one of the most effective factors for the magnitude of the output optical power in these LEDs. In this study, a single quantum-well LED based on InGaN/GaN was simulated and the effect of doping concentration on its performance was investigated at fixed anode voltage by using Silvaco (ATLAS) software. Characteristics of LED have been achieved for different values of dopant content. The output optical power of the LED would begin to raise to an optimum point as a result of increase in doping concentration</span><span dir="LTR">.</span><br> &nbsp; بازترکیب, توان نور خروجی, دیود نور گسیل, چاه کوانتومی, چگالی آلایش recombination, output optical power, light-emitting diode(LED), quantum-well structures, doping concentration. 201 204 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1602&slc_lang=fa&sid=1 Behroz Kalhor بهروز کلهر 10031947532846007073 10031947532846007073 Yes Department of Physics, Faculty of Science, Malayer University دانشگاه ملایر Davood Kalhor داود کلهر 10031947532846007074 10031947532846007074 No Faculty of Physics, Damghan University دانشگاه دامغان Dariush Souri داریوش سوری 10031947532846007075 10031947532846007075 No Department of Physics, Faculty of Science, Malayer University دانشگاه ملایر