<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1396</year>
	<month>12</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2018</year>
	<month>3</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>24</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران </number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مدولاتور نوری الکتروجذب برپایه گرافن چند‌لایه</title_fa>
	<title>Multilayer Graphene Based Optical Electro-Absorption Modulator</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: b nazanin;&quot;&gt;&amp;nbsp;در این مقاله ساختاری برای مدولاتور نوری الکتروجذب پیشنهاد می&amp;shy;شود که در آن عمق مدولاسیون با بکارگیری لایه&amp;shy;های&amp;shy; گرافن اطراف موجبر نوری سیلیکونی، افزایش می&amp;shy;یابد. تحت تابش فوتون&amp;shy;هایی با طول موج &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: times new roman;&quot;&gt;&lt;em&gt;1537 nm&lt;/em&gt;&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: b nazanin;&quot;&gt;،&amp;nbsp; با اعمال ولتاژ به لایه&amp;shy;های گرافن و تغییر سطح فرمی، عمق مدولاسیون در ساختار با سه و چهار لایه گرافن به ترتیب به &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: times new roman;&quot;&gt;&lt;em&gt;9.2 dB &lt;/em&gt;&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: b nazanin;&quot;&gt;&amp;nbsp;و &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: times new roman;&quot;&gt;&lt;em&gt;13.13 dB&lt;/em&gt;&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family: b nazanin;&quot;&gt; می&amp;shy;رسد.&amp;nbsp;&amp;nbsp; &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;span lang=&quot;EN-US&quot;&gt;In this paper a structure for optical electro-absorption modulator is proposed in which modulation depth is increased by exploiting multilayers of graphene&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;EN-US&quot;&gt;&amp;nbsp;to coat the silicon optical waveguide. Under incidence of photons with wavelength&amp;nbsp;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;EN-US&quot;&gt;&amp;lambda;&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;EN-US&quot;&gt;=1537 nm, with biasing voltage of graphene layers and changing the Fermi level&lt;/span&gt;&lt;span lang=&quot;EN-US&quot;&gt;, modulation depth reaches 9.2 dB and 13.13 dB in three and four layer-graphene structure respectively.&lt;/span&gt;</abstract>
	<keyword_fa> اپتوالکترونیک, الکتروجذب, چند لایه, گرافن, مدولاتور نوری</keyword_fa>
	<keyword>Optoelectronics, electro-absorption, multilayer, graphene, optical modulator</keyword>
	<start_page>389</start_page>
	<end_page>392</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1591&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Fatemeh Sadat</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Tabatabaei</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>فاطمه سادات</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>طباطبایی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846008095</code>
	<orcid>10031947532846008095</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mohammad Sadegh</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Abrishamian</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد صادق</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>ابریشمیان</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846008096</code>
	<orcid>10031947532846008096</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
