fa سوئیچ اولتراسونیک 2×1 بر پایه تنظیم حرارتی بلور های فونونی دو بعدی از نوع جامد/جامد تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-size: small;"><span style="font-family: times new roman;"><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;">&nbsp;در این مقاله، یک تحقیق تئوری پیرامون تاثیرات دما بر روی یک ساختار بلور فونونی دو بعدی از نوع جامد/جامد انجام شده است که متشکل از چیدمان مربعی ستون هایی از جنس ایپاکسی (رزین) است که در یک بستر از جنس تنگستن که دارای ابعادی در مقیاس میکرومتر می&shy;باشد قرار گرفته اند. همچنین، یک سوئیچ اولتراسونیک بر پایه بلور های فونونی دو بعدی به صورت تئوری مورد بررسی قرار گرفته است. برای این حالت، با استفاده از تحلیل ساختار باند به روش المان محدود امکان تنطیم پذیری موقعیت فرکانسی و پهنای ساختار باند بلور فونونی در مقیاس مگاهرتز نشان داده شده است. نتایج عددی برای ساختار متناوب تنگستن/ایپاکسی(رزین) با شبکه مربعی نشان می&shy;دهد که موقعیت فرکانسی و پهنای شکاف باند وابستگی شدید به دما دارند و با تغییر دما از </span></span></span></strong><span dir="LTR"><em><span style="font-size: small;"><span style="font-family: times new roman;">&deg;C</span></span></em></span><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;"> 25&nbsp; به </span></span></span></strong><span dir="LTR"><em><span style="font-size: small;"><span style="font-family: times new roman;">&deg;C</span></span></em></span><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;"> 35 به صورت مشخصی دچار تغییر می&shy;شوند. وابستگی شدید به دما و متناوب بودن بلور فونونی طراحی شده اثبات می&shy;کند که ساختار برای طراحی یک سوئیچ حرارتی مناسب می&shy;باشد. لذا با توجه به نتایج حاصل از شبیه سازی و محاسبات انجام شده یک سوئیچ اولتراسونیک 2&times;1 برای فرکانس </span></span></span></strong><span dir="LTR" style="font-style: normal;">f=1.48MHz</span><strong><span style="font-style: normal;"><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family: b nazanin;"> در دمای اتاق گزارش شده است.</span></span></span></strong><strong><span style="font-size: 10pt;"><span style="font-family:b nazanin;"></span></span></strong></span></span><br> &nbsp; <p class="AbstractEnglish" style="margin: 9pt 0in;"><font size="2"><font color="#000000"><font face="Times New Roman">In this work, a theoretical study of the temperature effect on two-dimensional solid/solid phononic crystal structure composed of square array of Epoxy rods embedded in Tungsten matrix with sub micrometer geometries have been done. Moreover, an ultrasonic wave switch based on two-dimensional phononic crystal is theoretically investigated. For this case, the possibility of tuning the position and width of phononic band structures in megahertz range has been observed utilizing the analyses of the band structure by finite element method. The numerical results for the case of periodic Tungsten/Epoxy structure with square lattice show that the frequency position and width of the absolute band gap strongly depends on the temperature and change prominently when the temperature change from 25&deg;C to 35&deg;C .The strong dependence on temperature and periodicity of designed phononic crystal prove that the structure could be suitable enough for thermal switching. So, according to the simulation results and calculations the design of an acoustic wave 1&times;2 switch for the specific frequency of f=1.48MHz at room temperature has been reported.<!--stripped--><!--stripped--></font></font></font></p> اثرات دمایی, المان محدود, اولتراسونیک, بلور فونونی, خواص الاستیک, سوئیچ, ناحیه بریلیون. Brillouin zone, Elastic properties, Finite element, Phononic crystal, thermal effect, switch, Ultrasonic. 385 388 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1560&slc_lang=fa&sid=1 Mehran Alinejad Naini مهران علی نژاد نایینی 10031947532846006968 10031947532846006968 Yes Optoelectronics and Nanophotonics Research Lab (ONRL), Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran دانشگاه صنعتی سهند Ali Bahrami علی بهرامی 10031947532846006969 10031947532846006969 No Optoelectronics and Nanophotonics Research Lab (ONRL), Department of Electrical Engineering, Sahand University of Technology, Tabriz, Iran دانشگاه صنعتی سهند