en تاثیر برم بر روی پروسکایت ترکیب هالوژنی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">سلول خورشیدی پروسکایتی ترکیب هالوژنی با روش لایه نشانی دو</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">مرحله</span></span></strong><em><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">‌</span></span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">ای </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">پروسکایت </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">معرفی می‌شود. سرب و ید از پیش ماده سرب یدید و</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">برم از پیش ماده متیل آمونیوم برماید تهیه می‌شود. تاثیر برم روی ولتاژ مدار باز و گاف انرژی سلول خورشیدی نشان داده می‌شود. افزودن برم به پروسکایت یدی باعث بهبود مورفولوژی سطح و پهن‌تر شدن گاف انرژی پروسکایت و در نتیجه افزایش ولتاژ مدار باز سلول خورشیدی حاصل می‌شود. اما، بروم با متخلخل کردن</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> ساختار پروسکایت،</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">باعث کاهش جریان اتصال کوتاه سلول می‌شود. آنالیزجذب فرابنفش-مرئی نشان می‌دهد این ساختار پروسکایت دو گاف انرژی دارد. به عبارت دیگر پروسکایت حاصل دوفازی است</span></span></strong><em><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">.</span></span></em><span dir="LTR"></span> Using the sequential deposition method, we introduce a mix halide perovskite solar cell. The Pb and I are provided by PbI₂ precursor and Br is delivered by Methyl ammonium bromide (MABr) precursor. The effect of Br on the open circuit voltage (<em>V</em>_OC) and the band gap is studied. Addition of Br to the iodide-based perovskite improves its surface morphology and widens the perovskite bandgap, and hence increases the resulting solar cell <em>V</em>_OC. However, pinholes created in the perovskite layer due to addition Br results in a dramatically reduced short circuit current density (<em>J</em>_SC). The UV-Vis spectroscopy, indicating two optical bandgaps, confirms a two-phase perovskite structure is produced.<strong><em><span dir="RTL"></span></em></strong> سلول خورشیدی, پروسکایت, متیل آمونیوم برماید, ولتاژ مدار باز, جریان اتصال کوتاه. Solar cell, perovskite, MABr, open circuit voltage, short circuit current. 809 812 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1548&slc_lang=en&sid=1 Zahra Yeganegi زهرا یگانگی 10031947532846007177 10031947532846007177 Yes Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربت مدرس Farzad Mardekatani Asl فرزاد مرده کتانی اصل 10031947532846007178 10031947532846007178 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربت مدرس Bahram Abdollahi-Nejand بهرام عبدالهی نژند 10031947532846007179 10031947532846007179 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربت مدرس Mohammad Kazem Moravvej-Farshi محمد کاظم مروج فرشی 10031947532846007180 10031947532846007180 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربت مدرس