en بهبود ولتاژ مدارباز در سلول‌های خورشیدی پروسکایتی با استفاده از لایه‌ی دی اکسید آلومینیوم به عنوان لایه‌ خنثی الکتریکی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">در این مقاله اثر نشاندن لایه&shy;ی دی اکسید آلومینیوم روی لایه&shy;ی متخلخل انتقال دهنده الکترون (</span></span></span></strong><span dir="LTR">mp-TiO₂</span><strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">) در خواص فتوولتاییکی سلول&shy;های خورشیدی پروسکایتی بررسی شده است. به دلیل عایق بودن دی اکسید آلومینیوم نیاز است نشاندن لایه به صورت غیر یکنواخت صورت بگیرد و به این منظوراز روش کندوپاش مغناطیسی چرخشی استفاده شده&shy;است. </span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">در این کار، ولتاژ مدار باز سلول&shy;های خورشیدی پروسکایتی با استفاده از لایه&shy;ی دی اکسید آلومینیوم و بدون آن مقایسه شده&shy;است. با </span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">استفاده از&nbsp; لایه نازک دی اکسید آلومینیوم، به دلیل کاهش مراکز بازترکیب در ساختار، ولتاژ مدار باز بزرگتری به دست می&shy;آید، که با نتایج حاصل از مشخصه&shy;های چگالی جریان-ولتاژ، افت ولتاژ مدار باز و مشخصه جریان تاریک سلول&shy;های خورشیدی مورد تایید است.</span></span></span></strong> We investigate the effect of Al₂O₃thin film deposited on an electron transfer layer (ETL: mp-TiO₂ ) in the perovskite solar cells with the conventional structure of FTO/c-TiO₂/mp-TiO₂/CH₃NH₃PbI₃/spiro-OMeTAD/Au. Using the rotational angular deposition method to deposit a nanolayer of insulating Al₂O₃ by the reactive magnetron sputtering (RMS), as a passivating layer, we compare the open-circuit voltage (<em>V</em>_OC) of the perovskite solar cells with and without Al₂O₃. The comparison shows the passivated cells has a higher <em>V</em>_OC. We observe the same effect for solar cells with and without the hole transfer layer (HTL: spiro-OMeTAD). The Al₂O₃ nanolayer decreases the recombination centers, leading to higher <em>V</em>_OC and cell efficiency. بازترکیب, دی‌اکسید آلومینیوم, ولتاژمدار باز, سلول های خورشیدی پروسکایت reactive magnetron sputtering, passivation, Al2O3, recombination, perovskite solar cell 785 788 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1545&slc_lang=en&sid=1 Atefeh Ghorbani Koltapeh عاطفه قربانی کل تپه 10031947532846006933 10031947532846006933 Yes School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس Farzad Mardekatani Asl فرزاد مرده کتانی اصل 10031947532846006934 10031947532846006934 No School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس Bahram Abdollahi Nejand بهرام عبدالهی نژند 10031947532846006935 10031947532846006935 No School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس Mohammad Kazem Moravvej-Farshi محمد کاظم مروج فرشی 10031947532846006936 10031947532846006936 No School of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس