fa بهینه‌سازی چاه کوانتومی AlGaAs برای لیزرهای نیم‌رسانا 800 نانومتر پرتوان تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">در طراحی لیزرهای نیم‌رسانا </span></span></span></strong><span dir="LTR">AlGaAs</span><strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">&nbsp; با بکارگیری مقادیر مختلف درصد آلومینیوم و تغییر عرض چاه کوانتومی در ناحیه فعال میتوان عملکرد لیزر را در طول موجهای مختلف فراهم نمود. در عین حال عملکرد لیزر در شرایط بهینه در هر طول موج خاص به درصد معینی از الومینیم و عرض چاه مشخصی وابسته است.&nbsp; در این مقاله ساختار لیزر بهینه برای طول موج 800 نانومتر&nbsp; بررسی شد. معیار بهینه سازی بر اساس دست یابی به بالاترین توان و کمترین جریان آستانه تعیین گردید. در این بهینه سازی محدودیتهای رشد عملی مواد نیم‌رسانا و آستانه تخریب اپتیکی لیزر در نظر گرفته شد. برای طول موج 800 نانومتر بهترین عرض چاه کوانتمی 10 نانومتر و درصد مولار 085_/0 برای مقدار آلومینیوم تعیین شد. در لیزر پیشنهادی، جریان آستانه 545 میلی آمپر و توانی در حدود 2450 میلی وات حاصل شد.</span></span></span></strong> <p class="AbstractEnglish">- In designing an AlGaAs diode laser, by selecting different aluminum content and varying quantum well width as active layer. The laser can be operated in optimum condition in any specific wavelength, if optimum values for aluminum content and well width are selected. In this paper, the optimum conditions for laser diode operating at 800nm was investigated. The maximum optical power and minimum threshold current are criterions for optimization process. In our design, the practical semiconductor material growth limitations and optical damage threshold were considered. Finally the optimum quantum well width and aluminum content were found to be 10 nm and 0.085, respectively. In such condition, the threshold current of 545mA and optical power of 2450mW can be achieved.</p> لیزر نیم‌رسانا, چاه کوانتومی, عرض چاه, مقدار آلومینیوم, جریان آستانه Semiconductor Laser, Quantum Well, Well Thickness, Al Content, Threshold Current. 381 384 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1497&slc_lang=fa&sid=1 Seyed Peyman Abbasi سید پیمان عباسی 10031947532846006732 10031947532846006732 Yes Physics Faculty Iranian university science and technology دانشگاه علم و صنعت ایران Mitra Goudarzi میترا گودرزی 10031947532846006733 10031947532846006733 No Physics Faculty Iranian university science and technology دانشگاه علم و صنعت ایران Mohammad Hosien Mahdieh محمد حسین مهدیه 10031947532846006734 10031947532846006734 No Physics Faculty Iranian university science and technology دانشگاه علم و صنعت ایران