fa طراحی و شبیه سازی گیت‌های منطقی گرافن پلازمونیکی مادون قرمز با زیرلایه نیترید بور شش گوشه تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;">در این مقاله به طراحی و شبیه سازی گیت&shy;های گرافن پلازمونیکی </span></strong><em><span dir="LTR">AND</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و</span></strong><em><span dir="LTR">OR </span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">&nbsp;با زیرلایه نیترید بور شش گوشه</span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;">پرداخته شده است. در این گیت&shy;ها پلازمون پلازیتون&shy;های سطحی به وسیله موج ورودی با فرکانس </span></strong><em><span dir="LTR">40THz</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> با پلاریزاسیون </span></strong><em><span dir="LTR">TM </span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">&nbsp;در حالتی که پتانسیل شیمیایی نوارهای گرافنی در موجبر حدود </span></strong><em><span dir="LTR">0.3ev</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> تنظیم شده است، تحریک شده اند. استفاده از نیترید بور شش گوشه به جای دی اکسید سیلیکون به عنوان زیرلایه، تلفات کمتر پلازمون پلاریتون&shy;های سطحی را نتیجه می</span></strong><em><span dir="LTR">&shy;</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">کند. نتایج شبیه سازی نشان می</span></strong><em><span dir="LTR">&shy;</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">دهند که نسبت تمایز برای گیت های</span></strong><em><span dir="LTR">AND</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و </span></strong><em><span dir="LTR">OR</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> با زیرلایه دی اکسید سیلیکون به ترتیب برابر </span></strong><em><span dir="LTR">28dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و </span></strong><em><span dir="LTR">25dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و تلفات الحاقی برابر </span></strong><em><span dir="LTR">14dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و </span></strong><em><span dir="LTR">21dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> می</span></strong><em><span dir="LTR">&shy;</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">باشد در حالی که</span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;">نسبت تمایز گیت های </span></strong><em><span dir="LTR">AND</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> و</span></strong><em><span dir="LTR">OR</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">&nbsp; پیشنهادی با زیرلایه نیترید بور شش گوشه به ترتیب برابر</span></strong><em><span dir="LTR"> 34dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">و</span></strong><em><span dir="LTR">29dB </span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">&nbsp;و&nbsp; تلفات الحاقی برابر </span></strong><em><span dir="LTR">9.7dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;">و &nbsp;</span></strong><em><span dir="LTR">4.3dB</span></em><strong><span style="font-family:b nazanin;"> است.</span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;">&nbsp;نتایج بدست آمده حاکی از بهبود نسبت تمایز و تلفات الحاقی و در عین حال ابعاد کوچکتر برای گیتهای منطقی مورد نظر است.</span></strong> - In this paper, design and simulation of AND and OR graphene plasmonic gates with hexagonal boron nitride substrate is presented. In these gates, surface plasmon polaritons are excited by a 40THz incoming wave with TM polarization while the chemical potential of graphene strips is tuned about 0.3ev. Utilizing of thin layers of hexagonal boron nitride instead of silicon dioxide as substrate allows less propagation loss of surface plasmon polaritons. Simulation results show that the extinction ratios for AND and OR gates with silicon dioxide substrate are 28dB and 25dB and the insertion losses are 14dB and 21dB, respectively, while the extinction ratios of the proposed AND and OR gates with hexagonal boron nitride substrate are 34dB and 29dB and the insertion losses are 9.7dB and 4.3dB, respectively. Our numerical results show considerable improvement in extinction ratio and insertion loss of the presented logic gates along with the advantage of smaller dimensions. گرافن, پلازمونیک, گیت‌های منطقی نوری, نیترید بور شش گوشه Graphene, plasmonic, optical logic gates, hexagonal boron nitride 29 32 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1493&slc_lang=fa&sid=1 Rahim Borumandi رحیم برومندی 10031947532846006723 10031947532846006723 Yes Shiraz University دانشگاه شیراز Abbas Zarifkar عباس ظریفکار 10031947532846006724 10031947532846006724 No Shiraz University دانشگاه شیراز Mehdi Miri مهدی میری 10031947532846006725 10031947532846006725 No Shiraz University دانشگاه شیراز