fa ایجاد سیلیکون سیاه با استفاده از تپ‌های لیزری فمتوثانیه با شار انرژی‌های مختلف تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-style:normal;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">در این پژوهش با استفاده از تپ&shy;های لیزر فمتوثانیه، سطح ویفر سیلیکون تابش داده شده است. شار انرژی تپ&shy;های لیزری به عنوان یک مشخصه&shy;ی مهم مورد مطالعه قرار گرفته و به ازای سه شار انرژی 1، 3 و 9 کیلوژول بر مترمربع، بیناب بازتابی لیزر از سطح ویفر سیلیکون پس از 1 دقیقه تابش&shy;دهی ثبت شده است. نتایج نشان می&shy;دهد که در شار انرژی لیزری پایین ، کندوسوز به&shy;طور مؤثر رخ نداده و میزان بازتاب از سطح تغییری نکرده است. کندوسوز لیزری در شار انرژی لیزر مربوط به آستانه&shy;ی تشکیل پلاسمای یونی رخ می&shy;دهد که در نتیجه&shy;ی آن ساختارهای میخه مانند روی سطح سیلیکون تشکیل می&shy;شوند. تغییر ساختارروی سطح منجر به کاهش میزان بازتاب از آن می&shy;شود. در نتیجه، با تابش&shy;دهی لیزری سطح ویفر سیلیکون در محدوده انرژی بیش از شار آستانه، سیلیکون سیاه ایجاد شده که به دلیل جذب بالای آن&nbsp; قابلیت بهبود فناوری ساخت سلول&shy;های خورشیدی را دارد.</span></span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"></span></span></strong> <p class="AbstractEnglish">In this research, a silicon wafer has been irradiated by femtosecond laser pulses. Laser fluence is studied as an important parameter. The reflection spectrum of the surface at three different fluencies 1, 3 and 9 KJ/m² has been recorded after 1-minute irradiation. The results are shown that at low laser fluence the efficient ablation did not take place and the surface reflection did not change. However, when the laser fluence reaches to ionic plasma formation threshold, the laser ablation is occurring that cause spikes formation on the silicon surface. The changes in the surface structure result in reflection decreases. In conclusion, by laser irradiation of silicon surface with laser fluence more than the threshold the black silicon is fabricated which due to its high absorption can improve the manufacture of solar cell technology.<!--stripped--><!--stripped--></p> لیزر فوق کوتاه, بازتاب سطحی, سیلیکون سیاه, کندوسوز لیزری Ultrashort pulse laser, surface reflection, black silicon, laser ablation 77 80 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1491&slc_lang=fa&sid=1 Reza Goodarzi رضا گودرزی 10031947532846006715 10031947532846006715 Yes Photonics and Quantum Technologies Research School, NSTRI پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای Fereshteh Hajiesmaeilbaigi فرشته حاج اسماعیل بیگی 10031947532846006716 10031947532846006716 No Photonics and Quantum Technologies Research School, NSTRI پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای Eftekhar Bostandoost افتخار بستان دوست 10031947532846006717 10031947532846006717 No Photonics and Quantum Technologies Research School, NSTRI پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای Hossein Razaghi حسین رزاقی 10031947532846006718 10031947532846006718 No Photonics and Quantum Technologies Research School, NSTRI پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای Asma Motamedi اسما معتمدی 10031947532846006719 10031947532846006719 No Photonics and Quantum Technologies Research School, NSTRI پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای