fa مدلاتور پلاسمونیکی ترکیبی الکتروجذبی Al/p-Si سازگار با CMOS تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">هدف این تحقیق طراحی </span></span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">مدولاتور مینیاتوری پلاسمونیکی ترکیبی</span></span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;"><span style="font-size:10.0pt;">Al/P-Si</span></span></span><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> سازگار&nbsp; با </span></span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;"><span style="font-size:10.0pt;">CMOS </span></span></span>&nbsp;<strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">با کاهش توان مصرفی در طول موج 1550 نانومتر است. بر این اساس، </span></span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">مدولاتور </span></span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">n-p-n</span></span><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"> با افزایش ناخالصی نیمه هادی سیلکن و به کمک روش تفاضل محدود در حوزه زمان، با ابعاد یک میکرومتر شبیه سازی شده است. با افزایش ناخالصی نیمه هادی سیلکون و با استفاده از خواص فلزی ایجاد شده در آن، مدهای پلاسمونیکی پشتیبانی شده و عملیات مدولاسیون صورت می&shy;پذیرد. نتایج حاصل از شبیه سازی بیانگر ضریب خاموشی</span></span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;">74/7 دسی بل و تلفات الحاقی 42/2 دسی بل و ولتاژ کاری بین صفر تا 3/2 ولت است که می تواند در راستای طراحی مدولاتورهای کم توان و مینیاتوری مفید باشد.</span></span></span></span></strong><strong><span style="font-style:normal;"><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:10.0pt;"></span></span></span></span></strong> The purpose of this research is to design a miniature hybrid plasmonic Al/p-Si compatible with CMOS with reduction power consumption at telecommunication wavelength 1550 nm. For this aim, n-p-n modulator with highly doped silicon was simulated by employing the finite difference time domain method. Using the metallic properties of silicon created by increasing the concentration of dopants, the plasmonic modes are supported and modulation operation is performed. According to the simulation results of this work, the extinction ratio and insertion loss are obtained as 7.74dB and 2.42dB respectively, furthermore the operation voltage is chosen between 0 to 2.3 Volts. Therefore, the proposed structure can be useful for designing the miniature and low consumption power modulators. مدولاتور, پلاسمونیک, نرخ خاموشی, تلفات الحاقی : Modulator, Plasmonics, Extinction ratio, Insertion loss 65 68 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1442&slc_lang=fa&sid=1 Reza Kouhestanian رضا کوهستانیان 10031947532846006562 10031947532846006562 Yes Magnetoplasmonic Lab, Laser and Plasma Institute, Shahid Beheshti University پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی Seyedeh Mehri Hamidi سیده مهری حمیدی 10031947532846006563 10031947532846006563 No Magnetoplasmonic Lab, Laser and Plasma Institute, Shahid Beheshti University پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی Arash Yazdanpanah Goharrizi آرش یزدان پناه گوهرریزی 10031947532846006564 10031947532846006564 No Department of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی