fa بررسی فرآیند تکثیر اکسیتونی در نانوبلورهای سیلیکن و ژرمانیوم تخصصی Special پژوهشي Research <p><span dir="RTL">یکی از روش ها برای افزایش بازده نوری افزاره های سلول خورشیدی مبتنی بر نانو ساختار، استفاده از فرآیند تکثیر اکسیتونی(MEG)</span><span dir="RTL">&nbsp;می باشد که در آن تحت شرایط معینی به ازای جذب یک فوتون چندین اکسیتون ایجاد می شود. در این مقاله ما نرخ تکثیر اکسیتونی را در نانوبلورهای سیلیکن و ژرمانیوم بدست آورده و مقایسه کرده ایم. نتایج ما با روش </span>EOM-CCSD<span dir="RTL"> نشان می دهد که فرآیند </span>MEG<span dir="RTL"> در نانوبلور ژرمانیوم حدود 8/0 </span>eV<span dir="RTL"> زودتر از نانوبلور سیلیکن شروع شده و آستانه آن حدود 8 درصد کمتر است. آستانه </span>MEG<span dir="RTL"> محاسبه شده بر مبنای شکاف انرژی نوری بوده و نتایج ما تطابق مناسبی با گزارش های آزمایشگاهی دارد.&nbsp;</span></p> <p>One of the approaches to increase the efficiency of solar cell devices based on semiconductor nanostructures is to use multiple exciton generation (MEG) process, that in certain circumstances, several excitons are generated by the absorption of a single photon. In this paper, we obtain and compare multiple exciton generation in silicon and germanium nanocrystals. Our results with EOM-CCSD method show that MEG process in germanium nanocrystal around 0.8 eV starts earlier than silicon nanocrystal, and its threshold is around 8% lower. The calculated MEG threshold is based on optical bandgap and our results are consistent with experimental reports.</p> تکثیر اکسیتونی, نانوبلور سیلیکن و ژرمانیوم Multiple Exciton Generation, Silicon and Germanium nanocrystal 989 992 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1380&slc_lang=fa&sid=1 Mahdi Gordi-Armaki مهدی گردی ارمکی me.ko.ar@gmail.com 10031947532846005645 10031947532846005645 Yes دانشگاه تربیت مدرس Mohammad Kazem Moravvej-Farshi محمدکاظم مروج فرشی moravvej@modares.ac.ir 10031947532846005646 10031947532846005646 No دانشگاه تربیت مدرس