<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1395</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2017</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>23</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران </number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مشخصه یابی اثر تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته شده در فناوری 180 نانومتری سیماس</title_fa>
	<title>Radiation Effect Modeling in 180nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS) Image Sensors</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p&gt;&lt;strong&gt;در این مقاله،&lt;/strong&gt;&amp;nbsp;&lt;strong&gt;مدلی برای مشخصه &amp;shy;یابی اثر&lt;/strong&gt;&amp;nbsp;&lt;strong&gt;تشعشعات بر روی حسگرهای تصویربرداری ساخته &amp;shy;شده در فناوری 180 نانومتری سیماس ارائه شده است. این مدلسازی با استفاده از بار حالت &amp;shy;های میانی و تله &amp;shy;های اکسید صورت گرفته است. برای صحت&amp;shy; سنجی مدل از دو نوع حسگر تصویربرداری حساس به تشعشع ساخته &amp;shy;شده در این فن&amp;shy; آوری کمک گرفته شده است. نتایج شبیه&amp;shy; سازی مدل نشان&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;می&amp;shy; دهد میانگین خطاهای مقدار جریان تاریک ساختارها در نتیجه شبیه&amp;shy; سازی نسبت به نتایج آزمایش های تجربی 3 درصد&amp;nbsp;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;می &amp;shy;باشد.&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;مدل ارائه شده قابلیت پیش &amp;shy;بینی اثر دوز یونیزان کلی تشعشعات در حسگرهای تصویربرداری ساخته&amp;shy; شده در فن&amp;shy; آوری سیماس 180 نانومتری را دارا می&amp;shy; باشد.&lt;/strong&gt;&lt;/p&gt;
</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p dir=&quot;ltr&quot;&gt;A new model is developed for the radiation effect analysis in 180 nm CMOS implemented image sensors. The modeling is based on the quantization of interface states and oxide traps charges. For the verification of developed model two different structures are used for comparing the radiation affected results. The verification results show 3% average mismatch between simulated model and the experimental result in dark current of image sensors after the radiation. The model can be used for similar image sensors to be developed on the same technology (180nm CMOS).&lt;/p&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>اثر دوز یونیزان کلی, تله های اکسید, حالت های میانی, فناوری 180 نانومتری سیماس.</keyword_fa>
	<keyword>Total Ionizing Dose effect, Oxide traps, Interface states, 180nm CMOS technology.</keyword>
	<start_page>425</start_page>
	<end_page>428</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1312&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Kiarash</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Hassas Irani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سید کیارش</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>حساس ایرانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>kiarash.hassas@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846006092</code>
	<orcid>10031947532846006092</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه علم و صنعت</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Abdollah</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Pil-Ali</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>عبدالله</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>پیل علی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>apilali@uwaterloo.ca</email>
	<code>10031947532846006093</code>
	<orcid>10031947532846006093</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه علم و صنعت</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mohammad Azim</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Karami</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محمد عظیم</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>کرمی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>karami@iust.ac.ir</email>
	<code>10031947532846006094</code>
	<orcid>10031947532846006094</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation></affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه علم و صنعت</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
