fa تأثیر پارامتر چرپ در تحول پالس در نانوسیم های سیلیکونی با پاشندگی مهندسی شده تخصصی Special پژوهشي Research <p><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">د</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">ر این</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&nbsp;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">مقاله تأثیر پارامتر چرپ در تحول پالس در نانوسیم&shy;های سیلیکونی با پاشندگی مهندسی شده</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&nbsp;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">از طریق حل معادله غیرخطی شرودینگر با استفاده از نرم افزار متلب به روش فوریه گام مجزا بررسی می</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&shy;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">شود. با در نظر گرفتن پالس ورودی سکانت&shy;هایپربولیک از مرتبه فمتوثانیه و نیز لحاظ کردن اثرات غیرخطی و ضریب پاشندگی مرتبه دوم و سوم بصورت تابعی از طول،&nbsp;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">تأثیر پارامتر چرپ&nbsp;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">در انتشار پالس در طول نانوسیم، مورد مطالعه قرار می&shy;گیرد. نتایج نشان می</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&shy;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">دهد که مقدار و علامت چرپ تاثیر بسزایی در تحول پالس و بخصوص پهن شدگی آن در طول نانوسیم دارد بطوریکه می</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&shy;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">توان با افزودن چرپ مثبت به پالس ورودی پهن</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&shy;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">شدگی را کاهش داد.&nbsp;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">لذا</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">&nbsp;می&shy;توان با انتخاب مناسب پارامترهای پالس، به گونه&shy;ای انتشار پالس را کنترل کرد که کمترین پهن</span><span style="line-height: 20.7999992370605px;">&shy;</span><span dir="RTL" style="line-height: 20.7999992370605px;">شدگی حین انتشار ایجاد شود.</span></p> <p><span style="line-height: 20.7999992370605px;">In this paper, we investigate the impact of chirp parameter on the pulse evolution in dispersion-engineered silicon nanowires by solving nonlinear Schr&ouml;dinger equation (NLSE) using the split-step Fourier (SSF) method in MATLAB. By assuming femtosecond hyperbolic secant input pulse and including nonlinear effects, second- and third-order dispersion coefficients as a function of length the effect of chirp parameter on pulse propagation along nanowire, is investigated. The results show that the value and sign of the chirp has a significant impact on the pulse evolution and specially the pulse broadening along the nanowire so that the broadening can be reduced by adding a positive chirp to the input pulse. Hence, by choosing proper value of pulse parameters, pulse propagation can be controlled such that the minimum broadening during propagation happens</span></p> چرپ, معادله غیرخطی شرودینگر, مهندسی پاشندگی, نانوسیم سیلیکونی. Chirp, Nonlinear Schrödinger equation, Dispersion engineering, Silicon Nanowire. 485 488 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1267&slc_lang=fa&sid=1 Zeinab Delirian زینب دلیران z.delirian@sutech.ac.ir 10031947532846005244 10031947532846005244 Yes دانشگاه صنعتی شیراز Hassan Pakarzadeh حسن پاکار زاده pakarzadeh@sutech.ac.ir 10031947532846005245 10031947532846005245 No دانشگاه صنعتی شیراز Alireza Keshavarz علیرضا کشاورز keshavarz@sutech.ac.ir 10031947532846005246 10031947532846005246 No