fa گاف نواری بلورهای فوتونی یک بعدی ساخته شده از لایه‌های متناوب SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMAتحت تابش باریکه گاوسی تخصصی Special پژوهشي Research <p><strong>در این مقاله، امکان به دست آوردن بلورهای فوتونی یک بعدی که شامل مواد کم هزینه و همیشه در دسترس دی اکسید سیلیکون (</strong><strong><span dir="LTR">SiO₂</span></strong><strong>) یا پلی</strong>&nbsp;<strong>متیل متاکریلات (</strong><strong><span dir="LTR">PMMA</span></strong><strong>) وتک لایه‌های دی سولفید مولیبیدیوم (</strong><strong><span dir="LTR">MoS₂</span></strong><strong>&nbsp;) است ارائه شده است. باا اعمال ماتریس انتقال تحت باریکه گاوسی به بلورهای فوتونی با لایه های&nbsp;</strong><strong><span dir="LTR">SiO₂/ MoS₂</span></strong>&nbsp;&nbsp;<strong>و</strong><strong><span dir="LTR">MoS₂&nbsp;</span></strong><strong>/&nbsp;</strong>&nbsp;<strong><span dir="LTR">PMMA</span></strong><strong>&nbsp;و بکارگیری ضرایب شکست وابسته به طول موج این لایه ها، &nbsp;طیف تراگسیل و ویژگی‌های گاف نواری فوتونی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش مختصه شعاعی&nbsp;</strong><strong><span dir="LTR">&nbsp;r</span></strong><strong>در باریکه گاوسی، مکان گاف نوارهای فوتونی به سمت فرکانس&shy;های پایین تر جابجا شدند. با افزایش&nbsp; ضخامت لایه‌های&nbsp;</strong><strong><span dir="LTR"><img alt="AWT IMAGE" height="18" src="file:///C:UsersDAppDataLocalTempmsohtmlclip1�1clip_image002.gif" width="32" ></span></strong><strong>&nbsp;درهر یک از این بلورهای فوتونی، پهنای گاف نواری بطور قابل ملاحظه‌ای افزایش یافت و یک جابجایی به سمت فرکانس</strong>&nbsp;<strong>های پایین</strong>&nbsp;<strong>تر را نشان داد.</strong></p> <p>In this article, the possibility to synthesize one dimensional photonic crystals consisting of low-cost and easily available materials, as silicon dioxide (SiO₂) or poly methyl methacrylate (PMMA), and MoS₂&nbsp;monolayers has been presented. By applying of transferr matrix to a periodic photonic crystal structure MoS2/SiO2 and MoS2/PMMA &nbsp;and employing the wavelength dependent refractive indexes of this layers, their transmission spectra and photonic band gaps properties were studied. By increasing of r (r is the radial coordinate) the photonics band gap is shifted toward the lower frequencies. By increasing the thickness of theMoS₂&nbsp;layerss in each of this photonic crystals, the width of band gap substantially increased and a shift toward lower frequencies revealed</p> باریکه گاوسی, بلورهای فوتونی MoS2/ SiO2 و MoS2/ PMMA, گاف نواری, طیف تراگسیلی Gaussian beam, MoS2/SiO2, MoS2/PMMA, Photonic crystals, band gap , Ttransmission spectrum 245 248 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1247&slc_lang=fa&sid=1 hossein dizajghorbani aghdam حسین دیزجقربانی اقدم h.dizajghorbani@modares.ac.ir 10031947532846006102 10031947532846006102 Yes دانشگاه تربیت مدرس seyyed mahmoud ashrafi سید محمود اشرفی 10031947532846006103 10031947532846006103 No دانشگاه تربیت مدرس rasoul malekfar رسول ملک فر malekfar@modares.ac.ir 10031947532846006104 10031947532846006104 No دانشگاه تربیت مدرس