<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1395</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2017</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>23</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران </number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si</title_fa>
	<title>Persistent Photoconductivity Effect in p-Si/SiGe/Si Inverted Remote Modulation Structure </title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p&gt;در این مقاله، اثر فوتورسانندگی ماندگار &amp;nbsp;در ساختار دور آلاییده معکوس &amp;nbsp;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;p-Si/SiGe/Si&lt;/span&gt;&amp;nbsp;&amp;nbsp;رشد یافته به روش برآرایی پرتو مولکولی ، بررسی شده است. در لایه آلیاژی این ساختارها &amp;nbsp;(&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;SiGe&lt;/span&gt;) گاز حفره&amp;shy;ای دوبعدی&amp;nbsp;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;2DHG&lt;/span&gt;&amp;nbsp;با چگالی سطحی&amp;nbsp;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;n&lt;sub&gt;h&lt;/sub&gt;&lt;/span&gt;&amp;nbsp;مشاهده شده است که با تابش نور می&amp;shy;توان چگالی آن&amp;shy;را تغییر داد. نتایج تجربی بدست آمده با استفاده از آزمایش اندازه گیری اثر هال&amp;nbsp; مشخص می&amp;shy;کند که تابش نور قرمز به&amp;nbsp; ساختار در دمای &amp;nbsp;4.2&amp;nbsp;&amp;nbsp; چگالی گاز حفره&amp;shy;ای دوبعدی و رسانندگی ساختار را افزایش میدهد. &amp;nbsp;این افزایش ناشی از جذب نور در لایه پوششی ساختار و تولید زوج الکترون- حفره و خنثی شدن بارهای سطحی است.&lt;/p&gt;
</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p&gt;In this paper, the persistent photoconductivity effect of p-Si/SiGe/Si inverted modulation doped structure grown with molecular beam epitaxy method was&amp;nbsp; investigated.&amp;nbsp; A two dimensional hole gas &amp;nbsp;with areal density n&lt;sub&gt;h&lt;/sub&gt;&amp;nbsp;was observed in the alloy layer off these structures which its density &amp;nbsp;can be changed by illumination with LED. The experimental results &amp;nbsp;&amp;nbsp;of Hall effect measurement experiment indicated that &amp;nbsp;illumination of the sample by red light in&amp;nbsp;&lt;img alt=&quot;AWT IMAGE&quot; height=&quot;17&quot; src=&quot;file:///C:/DOCUME~1/asadei/LOCALS~1/Temp/msohtmlclip1/01/clip_image002.gif&quot; width=&quot;35&quot; &gt;temperature, leads to enhancing the two dimensional hole gas density and its electrical conductivity. This effect is a consequence of neutralizing the Si surface charges due to photo absorption in the Si cap and electron-hole pairs generation.&lt;/p&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>ساختار دور آلاییده معکوس, فوتورسانندگی, گاز حفره‌ای دوبعدی</keyword_fa>
	<keyword>Inverted remote modulation structure, Photoconductivity, Two dimensional hole gas. </keyword>
	<start_page>861</start_page>
	<end_page>864</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1226&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>maryam</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>gholizadeh</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مریم</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>قلی زاده</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>m.gholizadeh@iausr.ac.ir</email>
	<code>10031947532846005927</code>
	<orcid>10031947532846005927</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Yadegar-e-Imam Khomeini (RAH) Shahre Rey Branch, Islamic Azad University,</affiliation>
	<affiliation_fa>، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
