<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1394</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2016</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>22</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران </number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>ساخت و کپسوله کردن دیود نور گسیل آلی با استفاده از مجموعه ی چند لایه ای SiO/Si3N4 و مقایسه آن با پوشش شیشه </title_fa>
	<title>Fabrication and encapsulation of organic light emitting diode with SiO/Si3N4 multilayer and compare with glass cover </title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p&gt;در این پژوهش از جفت لایه ی سیلیکن اکسید/سیلیکن نیترید برای کپسوله کردن دیود نورافشان آلی با زیرلایه شیشه استفاده شده است. زمانی که لایه سیلیکن نیترید روی ساختار دیود نورافشان آلی لایه نشانی می شود کارایی سیستم نسبت به حالت کپسوله نشده افت می کند. به منظور رفع این مشکل از میان لایه سیلیکن اکسید برای محافظت ساختار دیود نورافشان آلی در برابر آسیب های لایه نشانی به روش کندوپاش استفاده شد. لایه نازک سیلیکن نیترید به روش کندوپاش و لایه نازک سیلیکن اکسید به روش تبخیر فیزیکی و در محفظه ی خلاء لایه نشانی شدند. پس از لایه نشانی مشخصه ی جریان-ولتاژ اندازه گیری شد و طیف تابش دیود مورد بررسی قرار گرفت و در نهایت طول عمر دیود اندازه گیری شد. نمونه ی کپسوله شده با لایه نازک نیمه عمر حدودا 542 ساعت و نمونه ی کپسوله شده با شیشه نیمه عمر حدودا 1078 ساعت دارند. نتایج بررسی ها نشان می دهد که طول عمر نمونه ی کپسوله شده با لایه نازکسیلیکن اکسید/سیلیکن نیترید حدود نصف نیمه عمر نمونه ی کپسوله شده با شیشه است.&lt;/p&gt;
</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p&gt;In this investigation silicon oxide (SiO) and silicon nitride (Si3N4) bilayers and glass cover were applied as encapsulation cap on glass-based organic light emitting diodes (OLEDs). When Si3N4 layer was deposited on to the OLED structure, the devices showed performance worse than one without any encapsulation. The adverse effects were attributed to the damage caused by reaction species during the Si3N4 sputtering deposition processes. To solve this problem, a SiO interlayer is used to provide effective protection to the OLED structure. Si3N4 thin film deposited by RF-sputtering and SiO thin film deposited by PVD method and both of them prepared in vacuum chamber. After deposition, current-voltage parameter and life time of diode have been measured. Diode luminescence spectra has been investigated. Half- life for the thin films encapsulation OLED estimated 542 hours and for the glass cover encapsulation OLED estimated 1078 hours. Results show life time for the thin films encapsulation OLED is half of glass cover encapsulation OLED.&lt;/p&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>دیود نورافشان آلی, کپسوله کردن دیود نورافشان آلی, لایه های نفوذ ناپذیر</keyword_fa>
	<keyword>Organic light emtting diode (OLED), Organic light emtting diode encapsulation, Permeation barriers </keyword>
	<start_page>396</start_page>
	<end_page>399</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1036&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Soheila</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Mardani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سهیلا</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>مردانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>soheila.mardani@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846004560</code>
	<orcid>10031947532846004560</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>University of Isfahan</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه اصفهان</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Hamidreza</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Fallah</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حمیدرضا</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>فلاح</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>hfallah@gmail.com</email>
	<code>10031947532846004561</code>
	<orcid>10031947532846004561</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>University of Isfahan</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه اصفهان</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Hossein</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Zabolian</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حسین</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>زابلیان</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>zabolian_h@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846004562</code>
	<orcid>10031947532846004562</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>University of Isfahan</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه اصفهان</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
