<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1399</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2021</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>27</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مدل‌سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیوم‌آرسناید با طیف جذب باند‌پهن</title_fa>
	<title>Numerical modeling ofGaAs-based solar cell with broadband absorption spectrum</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;سلول&#8204;های خورشیدی مبتنی&#8204;بر&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt; GaAs &lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;(گالیوم-آرسناید) به&#8204;دلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابش&#8204;های کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;.&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;در این مقاله به مدل&#8204;سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیوم&#8204;آرسناید با طیف جذب باند&#8204;پهن پرداخته می&#8204;شود.در سلول&#8204;های خورشیدی به&#8204;منظور طراحی و عملکرد سیستم، مدل&#8204;سازی عددی مبتنی&#8204;بر روش تفاضل محدود در زمان ارائه شده&#8204;است. نتایج مدل&#8204;سازی نشان می&#8204;دهدکه ساختار پیشنهادی، به&#8204;دلیل هندسه ساختار و استفاده از گالیوم&#8204;آرسناید، دارای بهبود مناسب از لحاظ پهنای باند ومقدار جذب نسبت به ساختارهای مشابه است.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p&gt;&lt;span style=&quot;font-size: 13px;&quot;&gt;GaAs-based solar cells are more important due to their higher efficiency and resistance against cosmic radiation and heat. In this article, the numerical modeling of GaAs-based solar cell with broadband absorption spectrum is investigated. Due to design and operate the solar cells systems, the numericalmodeling must be presented.The modeling results show that the proposed structure, due to structure geometry and use of Ga-As, in terms of bandwidth compared to similar structures has better improvement.&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;</abstract>
	<keyword_fa>مدل‌سازی عددی, سلول‌های خورشیدی, گالیوم‌آرسناید</keyword_fa>
	<keyword>numerical modelling, Ga-As solar cells</keyword>
	<start_page>716</start_page>
	<end_page>719</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2442&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Hadis</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Fouladi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>حدیث</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>فولادی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009858</code>
	<orcid>10031947532846009858</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Department of Electrical Engineering, Lorestan University, Khorramabad, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه لرستان، خرم‌آباد، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Ali</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Farmani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>علی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>فرمانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009859</code>
	<orcid>10031947532846009859</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Department of Electrical Engineering, Lorestan University, Khorramabad, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه لرستان، خرم‌آباد، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Ali</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Mir</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>علی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>میر</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009860</code>
	<orcid>10031947532846009860</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Department of Electrical Engineering, Lorestan University, Khorramabad, Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه لرستان، خرم‌آباد، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
