fa انباشت بخار فیزیکی نانوساختارهای مولیبدن دی‌سولفید در فشارهای متفاوت با نرم‌افزار کامسول تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:Arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">شبیه‌سازی نانوساختارهای</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> با روش انباشت تبخیر فیزیکی و با استفاده از نرم‌افزار کامسول انجام شده‌است. هندسه دو بعدی با تقارن محوری برای بهینه‌سازی زمان شبیه‌سازی ترسیم گردید. در این شبیه‌سازی، با تغییر فشار، ضخامت لایه‌های </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> اندازه‌گیری شد و مقدار بهینه فشارگاز آرگون در دمای ثابت برای به‌وجود آمدن تک‌لایه‌های </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بهدست آمد. نرخ لایه‌نشانی بر روی زیرلایه و دیواره اتاقک خلاء به‌دست آمد. هم‌چنین در فشار بهینه شار مولکولی نانوذرات </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بر روی زیرلایه نیز محاسبه شد. &nbsp;این لایه‌ها درساخت ابزارهای مرتبط به حوزه نانوالکترونیک و اپتوالکترونیک کاربرد بسیاری دارند.</span></span></strong> <p><span style="font-size: 13px;">Vapor deposition method was used for the simulation of MoS</span>₂<span style="font-size: 13px;"> nano structures by COMSOL Multiphysics. Optimum simulation time has been achieved by a two-dimensional axisymmetric geometry. In this work, the thickness of MoS</span>₂<span style="font-size: 13px;"> thin films was measured in the different pressures, and the optimum Ar pressure for monolayer MoS</span>₂<span style="font-size: 13px;"> in the constant temperature has been determined. Growth rate has been obtained on the chamber walls and on the substrate. Also, Incident molecular flux for the optimum pressure have been computed on the substrate. These thin films have enormous potentials in the next generation of nanoelectronic and optoelectronic devices.</span></p> انباشت بخار فیزیکی, تک‌لایه‌های MoS2, نانوساختارهای MoS2, نرم‌افزار کامسول Physical vapor deposition (PVD), monolayer MoS2, MoS2 nanostructures, COMSOL software 646 649 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2427&slc_lang=fa&sid=1 Arezou Zarei آرزو زارعی 10031947532846009820 10031947532846009820 No Department of Physics and Nuclear power, Shahrood University of Technology, Semnan, Iran دانشکده فیزیک و مهندسی هسته‌ای، دانشگاه صنعتی شاهرود، سمنان، ایران Masoud Alimohamadi مسعود علی‌محمدی 10031947532846009821 10031947532846009821 Yes Department of Physics, Farhangian University, Tehran, Iran گروه فیزیک، دانشگاه فرهنگیان، تهران، ایران