fa نانوسوئیچ پلاسمونیک مبتنی بر GST با روش مدار معادل در ناحیه فروسرخ نزدیک تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;">در این مقاله</span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;">،</span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> یک نانوسوئیچ پلاسمونیک متشکل از یک نانودیسک نقره که بر روی یک لایه </span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">GST</span></span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> قرار گرفته،</span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;">در ناحیه فروسرخ نزدیک طراحی و شبیه&shy;‌سازی شده است</span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">.</span></span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> ماده تغییر فاز </span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">GST</span></span></span></strong> &nbsp;<strong><span style="font-family:B Nazanin;">با تغییر دما، ساختار را تنظیم‌پذیر می&shy;‌کند. به‌دلیل تغییر قابل توجه در پیوند</span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">GST </span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;">، هنگامی که از حالت آمورف به حالت کریستالی تغییر می&shy;‌کند، ضریب شکست آن به میزان قابل توجهی افزایش می‌&shy;یابد. تغییر در طیف جذب بین حالت&shy;‌های آمورف و کریستالی، منجر به قابلیت سوئیچینگ با نسبت خاموشی&nbsp; </span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">10.3 dB</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"> در طول&shy;‌موج </span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">1564 nm</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;"> می&shy;‌شود. به منظور بهینه&shy;‌سازی عملکرد ساختار، تاثیر ضخامت </span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">GST</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;">، اندازه شعاع نانودیسک و زاویه تابش بررسی می&shy;‌شود. هم‌چنین، روش تحلیلی مدار معادل برای تایید نتایج شبیه&shy;‌سازی استخراج شده است. نتایج به&shy;‌دست آمده در این پژوهش، قابلیت بالای استفاده از مواد تغییر فاز به&shy;‌ویژه </span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">GST</span></span></span><span style="font-family:B Nazanin;">، به‌عنوان یک ماده مناسب برای استفاده در ادوات مختلف فوتونی قابل تغییر با انرژی کارآمد، از جمله جاذب‌&shy;ها، حافظه‌های چند‌ سطحی و ادوات رنگی در فرکانس&shy;‌های نوری را نشان می&shy;‌دهد</span><span dir="LTR"><span style="font-family:Times New Roman Bold,serif;"><span style="font-size:8.0pt;">.</span></span></span></strong> In this paper, a plasmonic nano-switch that is composed of a silver nanodisk located on the GST layer is designed and simulated in the near-infrared region. The GST phase change material adjusts the structure by changing the temperature. Due to the significant change in the GST bond, when it varies from amorphous state to crystalline one, its refractive index increases remarkably. A change in the absorption spectrum between amorphous and crystalline states leads to switching capability with the extinction ratio of 10.3 dB at the wavelength of 1564 nm. In order to optimize the structure performance, the effects of GST thickness, nanodisk radius size and incident angle are investigated. Also, the equivalent circuit method is derived to confirm the simulation results. The obtained results demonstrate the high capability of using phase change materials specially GST, as a suitable material for use in various energy-efficient switchable photonic devices such as absorbers, multi-level memories and color devices at optical frequencies. پلاسمون سطحی, روش مدار معادل, سوئیچ پلاسمونیک, ماده تغییر فاز GST Equivalent Circuit Model, Phase Change Material GST, Plasmonic Switch, Surface Plasmon 275 278 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2337&slc_lang=fa&sid=1 Tahereh Panahi طاهره پناهی 10031947532846009570 10031947532846009570 No Department of Electrical Engineering, Shiraz University of Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز Najmeh Nozhat نجمه نزهت 10031947532846009571 10031947532846009571 Yes Department of Electrical Engineering, Shiraz University of Technology دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شیراز