اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 119 کاربر
- تمام بازدیدها: 22078247 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 13603 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 329-326 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Nejad Zangeneh M, Ghorashi S, ghasemi M. Investigation of the effect of V2O5 layer on the optical properties of semitransparent perovskite solar cell based on MoO3/Au/V2O5 electrode. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :326-329
URL: http://opsi.ir/article-1-2743-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2743-fa.html
نژادزنگنه مدینه، قریشی سید محمدباقر، قاسمی محسن. بررسی تأثیر لایه V2O5روی ویژگیهای اپتیکی سلول خورشیدی نیمهشفاف پروسکایتی بر پایه الکترود MoO3/Au/V2O5. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :326-329
چکیده: (759 مشاهده)
در این کار سلول خورشیدی نیمه شفاف پروسکایتی با الکترود رسانای شفاف MoO3/Au/V2O5 با ساختار Glass/ITO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro-OMeTAD/MoO3/Au/V2O5 در نظر گرفته شد و با محاسبه ویژگیهای اپتیکی آن با استفاده از اپتیک لایههای نازک و همچنین روش اسمیت، اثر تغییر ضخامت لایه V2O5 روی جذب در لایه فعال و چگالی جریان مدار کوتاه بررسی شد. در نهایت بیشینه چگالی جریان مدار کوتاه برای ضخامت 35 نانومتر از لایه ضخامت V2O5 به دست آمد.
واژههای کلیدی: الکترود رسانای شفاف، چگالی جریان مدار کوتاه، دی الکتریک/فلز/دی الکتریک، سلول خورشیدی نیمهشفاف پروسکایتی
ارسال پیام به نویسنده مسئول
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |