اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 518 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21834334 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 23523 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 540-537 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
ansari N, sohrabi A, Mirbaghestan K. Wavelength adjustability Of Defect Modes In Defective Photonic Crystal Based On MoS2 Monolayer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :537-540
URL: http://opsi.ir/article-1-2721-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2721-fa.html
انصاری نرگس، سهرابی عطیه، میرباغستان کیمیا. تنظیم پذیری طول موج مد نقص در بلور فوتونی نقص دار بر پایه تک لایه ی MoS2. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :537-540
چکیده: (680 مشاهده)
امروزه بلورهای دوبعدی موبیلدیم دی سولفات ، کاربردهای مهمی در اپتوالکترونیک دارند. در این مقاله در راستای رسیدن به ساختاری با جذب بالا و قابلیت تنظیم‌پذیری طول موج، از بلور فوتونی نقص دار با سه نقص به صورت DMD که در آن D و M به ترتیب نشان دهنده ی SiO2 و MoS2 هستند، استفاده شده است. اثر تغییر فاصله ی بین نقص ها بر میزان جذب، طول موج مدهای نقص و فاصله ی قله تا قله مدهای نقص بررسی شده است. ساختار بهینه دارای دو مد نقص با جذب بالای 97% در ناحیه ی گاف نواری می باشد که با تغییر فاصله ی بین نقص های اول و دوم می توان طول موج مدهای نقص را تنظیم نمود که این ویژگی در طراحی ابزارهای اپتوالکترونیک کاربردهای فراوانی دارد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
