اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 318 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21786594 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12191 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 362-359 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Esfandiar A. [1] P. Cambou, J.-L. Jaffard, “CMOS Image Sensors - Status of the CMOS Image Sensor Industry report," Yole Developpment, 2015. M. Lundstrom, Fundamentals of Carrier Transport, p. 44, Cambridge University Press, 2000. [2] A. Nathan, A. Ahnood, M. T. Cole, Y. Suzuki, P. Hiralal,F.Bonaccorso,T. Hasan, L. Garcia-Gancedo, A. Dyadyusha, S. Haque, P. Andrew, S. Hofmann, J. Moultrie, A. J. Flewitt, A. C. Ferrari, M. J. Kelly, J.Robertson,G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne, “Flexible Electronics:The Next biquitous Platform," Proceedings of the IEEE,vol.100, pp. 1486-1517, 2012. [3] Ye, T.; Li, J. Z.; Li, D. H. Charge-accumulation effect in transition metal dichalcogenide heterobilayers. Small 2019, 15, 1902424 [4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666. Y. Peng, Z. Meng, C. Zhong, J. Lu, W. Yu, Y. Jia, Y. Qian, Chem.Lett. 2001, 30, 772. [6] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.; Sun, Y. F.; Li, Q. Q.; Fan, S. S.; Cheng, C.; Liu, K. Phase-transitionmodulated, high-performance dualmode photodetectors based on WSe2/VO2 heterojunctions. Appl. Phys. Rev. 2019, 6, 041407 [7] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.; Sun, Y. F.; Liu, K. High-responsivity photovoltaic photodetectors based on MoTe2/ MoSe2 van der Waals heterojunctions. Crystals 2019, 9, 315.. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :359-362
URL: http://opsi.ir/article-1-2521-fa.html
اسفندیار علی، کریمی فاطمه، قدس سهیل. رشد کریستال دوبعدی مولیبدن دی سلناید به روش رسوب بخار شیمیایی برای کاربرد در آشکارساز‌های نوری. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :359-362

URL: http://opsi.ir/article-1-2521-fa.html


1- دانشگاه صنعتی شریف
چکیده:   (761 مشاهده)
ویژگی های منحصر­­‏ به فرد مواد دوبعدی، آن ها را به کاندیدای مناسبی برای آشکارساز‏های با کارایی بالا تبدیل کرده است. اگرچه خواص الکترونیکی ویژه و ویژگی ‏های کاتالیستی چندلایه‏ های دوبعدی MoSe2 توجه محققان را به‏ خود جلب کرده است، اما چند لایه‏ های دوبعدی MoSe2 به دلیل جذب بسیار بالای نوری برای کاربرد در آشکارساز ها مناسب‏ تر می‏باشند. پیش از این تهیه‏‏ ی لایه‏ های نازک MoSe2 به روش رسوب بخار شیمیایی انجام شده است و روش پیشنهادی در این پژوهش، سبب رشد نانو­پوسه های شش ضلعی MoSe2 بر روی زیرلایه ای از Si/SiO2 شده اند. نانوپوسه های رشد یافته مساحت­ های های نسبتا بزرگی به طول 70 میکرون دارند. تمامی فرآیند رشد در فشار اتمسفر صورت گرفته و دیود نوری بر پایه این ماده­ ی نیمه رسانا ساخته شده است. مشخصه یابی رامان حاکی از کیفیت بسیار بالای این چند لایه­ ها می باشد و فاصله ی دو قله­ی برجسته­ ی A1g و E12g در پراکندگی رامان، ضخامت­های دو تا سه لایه­ ی اتمی را برای نانوپوسه­ ها تصدیق می­کند. 
 اندازه گیری ­های اپتوالکترونیکی افزاره­­ی ساخته شده نشان دهنده­ی کاربرد های وسیع  MoSe2 در زمینه ی نانوالکترونیک می باشد.­­­­­‌‌‌ همان طور که نتایج نشان می دهد تحت تابش فوتونی با طول موج های متفاوت ، پاسخ نوری بالا (5 آمپر بر وات) و آشکارکنندگی ویژه قابل ملاحضه (109×6/4) و زمان پاسخ سریع (7 میلی ثانیه) مشاهده شده است. دیود نوری چند لایه ی MoSe2عملکرد بسیار بالایی نشان داده است که با مهندسی مناسب این افزاره می­­توان این عملکرد را بهبود بخشید.
متن کامل [PDF 957 kb]   (405 دریافت)    
نوع مطالعه: تجربی | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb