اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 185 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 22180643 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 11797 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 219-216 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Saleki Z, Madani A, Roshan Entezar S. Properties of defect modes in a one-dimensional graphene based photonic crystal. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :216-219
URL: http://opsi.ir/article-1-1128-fa.html
سالکی زیبا، مدنی امیر، روشن انتظار صمد. ویژگی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :216-219

URL: http://opsi.ir/article-1-1128-fa.html


1- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه بناب
چکیده:   (3694 مشاهده)

در این مقاله خواص تراگسیل ساختار پریودیک دی الکتریک- گرافن یک بعدی حاوی لایه نقص با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختار مورد نظر متشکل از نانو لایه‌های یکسان گرافن است که به صورت پریودیک توسط لایه‌های یکسان دی الکتریک از هم جدا شده‌اند و لایه‌ی نقص در مرکز ساختار قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشانگر وجود گاف باند القایی گرافن در فرکانسهای پایین تراهرتز می‌باشد. هم چنین یک مد نقص در گاف باند مربوطه قابل مشاهده است که ناشی از شکست تناوب شبکه گرافنی است. لذا مد نقص القایی گرافن نامگذاری شده است. وابستگی مد نقص به فاصله بین نانولایه‌های گرافن و گذردهی الکتریکی دی الکتریک تحت تابش عمودی مورد مطالعه قرار گرفته است. از آن جایی که گذردهی نانولایه‌های گرافن از طریق رسانندگی سطحی وابسته به پتانسیل شیمیایی گرافن است، فرکانس مد نقص القایی گرافن قابلیت تنظیم از طریق اعمال ولتاژ گیت را داراست. علاوه بر این، توزیع میدان امواج الکترومغناطیسی در فرکانس مد نقص القایی گرافن در درون ساختار رسم شده است.

متن کامل [PDF 687 kb]   (1308 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(برگزار شد)



 

(برگزار شد)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(برگزار شد)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb