اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 185 کاربر
- تمام بازدیدها: 22180643 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 11797 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-1128-fa.html






2- دانشگاه بناب
در این مقاله خواص تراگسیل ساختار پریودیک دی الکتریک- گرافن یک بعدی حاوی لایه نقص با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختار مورد نظر متشکل از نانو لایههای یکسان گرافن است که به صورت پریودیک توسط لایههای یکسان دی الکتریک از هم جدا شدهاند و لایهی نقص در مرکز ساختار قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشانگر وجود گاف باند القایی گرافن در فرکانسهای پایین تراهرتز میباشد. هم چنین یک مد نقص در گاف باند مربوطه قابل مشاهده است که ناشی از شکست تناوب شبکه گرافنی است. لذا مد نقص القایی گرافن نامگذاری شده است. وابستگی مد نقص به فاصله بین نانولایههای گرافن و گذردهی الکتریکی دی الکتریک تحت تابش عمودی مورد مطالعه قرار گرفته است. از آن جایی که گذردهی نانولایههای گرافن از طریق رسانندگی سطحی وابسته به پتانسیل شیمیایی گرافن است، فرکانس مد نقص القایی گرافن قابلیت تنظیم از طریق اعمال ولتاژ گیت را داراست. علاوه بر این، توزیع میدان امواج الکترومغناطیسی در فرکانس مد نقص القایی گرافن در درون ساختار رسم شده است.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |